【一览无余】功率MOS管从里到外解析一遍

发布网友 发布时间：2024-10-24 13:11

我来回答

共1个回答

热心网友 时间：2024-11-01 20:43

功率MOS管从内到外解析

功率MOSFET正向导通时，可用一与温度和门极驱动电压有关的电阻等效。温度升高时，电阻增大；驱动电压升高时，电阻减小。

功率MOSFET反向导通有两种情况，一种是门极不加控制，等效电路为内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，但因其特性较差，通常避免使用。另一种情况是门极控制下的反向导通，也可用一与温度和门极驱动电压有关的电阻等效，此工作状态为MOSFET的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中重要的工作状态。

功率MOSFET正向截止时可用一电容等效，电容容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。

功率MOSFET的稳态特性包括电流/电压曲线，门极与源极间的电压Vgs控制器件的导通状态，器件的漏极电流额定值，器件的通态电阻，同步整流工作状态的通态电阻大小，以及包含寄生参数的功率MOSFET等效电路。

功率MOSFET的开通和关断过程原理包括实验电路、电压和电流波形以及开关过程的详细描述。关断过程从MOSFET工作于导通状态开始，MOSFET的Cgs电压经驱动电路电阻放电而下降，通态电阻微微上升，DS电压稍微增加，但DS电流不变。关断过程时间几乎为零。

因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形实验电路和波形描述。

功率MOSFET的功率损耗公式涉及导通损耗、容性开通和感性关断损耗以及开关损耗。选择功率MOSFET的原则包括电源规格、正向导通电阻、结电容等参数的考虑。

理想开关的基本要求包括稳态要求和动态要求，波形描述包括控制信号的功率和方向。

用电子开关实现理想开关的限制包括电压和电流方向、稳态开关特性和动态开关特性。

在开关电源中，广泛使用的开关器件包括二极管、MOSFET、IGBT等。这些器件有多种分类方式，包括制作材料、可控性、工作频率和额定容量等。

不同开关器件的比较涉及功率处理能力和工作特性，数据会随器件的发展而变化。