发布网友 发布时间:2022-04-19 18:58
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热心网友 时间:2023-05-30 16:20
在1095 cm-1出现了很强的吸收峰,它是Si-O-Si键反对称伸缩振动所致,在800 cm-1左右的吸收峰是Si-O-Si键的对称伸缩振动吸收峰,在460 cm-1左右出现的吸收峰是Si-O键的弯曲振动所致,这些都是中孔分子筛的特征吸收谱带.960 cm-1处出现的吸收峰是Al取代Si后骨架局部不对称所致,有的认为是Si-O键伸缩振动而引起的特征吸收,有的认为是由于缺陷位造成的骨架局部不对称性所致,纯硅中孔分子筛亦存在一定的缺陷位,因而也出现了此谱带