发布网友 发布时间:2022-04-19 09:42
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热心网友 时间:2023-08-27 09:55
本剖面(图6-8)经过三个构造分区。从南往北分别是松辽盆地、小兴安岭造山带以及孙吴盆地。由于构造特点不同,表现的地球物理场特征也有较大差异。三个构造分区表现出不同的视电阻率分布形态。松辽盆地以低阻为主,视电阻率几十或几百欧姆米,只是在6点号下有一局部高阻,达2000Ω·m,在北端龙镇附近,与小兴安岭接合处出现了高阻,深部视电阻率达几万欧姆米。
小兴安岭地区以高阻为主,视电阻率几千或几万欧姆米。只在13~14点号的上部(800m以上)出现局部低阻,视电阻率值只有几十欧姆米。另外在龙镇北以及12~13点号(4km以上)之间出现中阻,视电阻率平均为200~300Ω·m。进入孙吴盆地,又以低阻为主,本次MT测量只有辰清16点号布设在孙吴盆地内部,所以视电阻率分布没有表现出全貌,只根据局部范围看出视电阻率值平均约上百欧姆米。
根据视电阻率等值线的形态,在赵光镇-辰清镇之间可划分出11条不同规模的断裂。这些断裂有的是基底断裂,有的是深大超壳断裂,还有的是区域构造的分界线。具体有:F1断裂、北安断裂(F3)、二龙山南断裂(F4)、二龙山断裂(F5)、讷谟尔断裂(F6)、小兴安岭南界断裂(F7)、炮声屯断裂(F8)、龙门道班断裂(F9)、钟山西断裂(F10)、红旗断裂(F11)。
依据MT视电阻率断面图(图6-8)的结果,研究区可划分如下构造分区:
赵光镇坳陷:在1~2点号之下,可分为三层。1.5km以上的低阻层,视电阻率值只有几欧姆米到几十欧姆米。第二层从1.5km到3km,视电阻率为100~300Ω·m,第三层从3km一直往下可到20km以下,视电阻率平均只有25Ω·m。从图6-8上看,F1断裂上部的中阻层有向南推覆的显示,把下部的低阻层覆盖上。
北安北隆起:位于F1与F3之间。从图6-8看有二层。上层为低阻层,视电阻率只有几欧姆米,但厚度薄,只有几百米,最大不超过1km厚;下层为中阻层,延深大于20km,视电阻率在100~500Ω·m之间变化。
北安坳陷:位于F3和F4之间,中心位于北安北部建华林场场部附近。分为两层,7km以上为低阻,约30Ω·m,6km以下为中阻,约300Ω·m。
龙中隆起带:在F4与F5之间,可分为三层。上层(几百米之上)为低阻,几十欧姆米;中层(几百米至12km)为高阻,约2000Ω·m;下层(12km以下)为中阻,约300Ω·m。
讷谟尔坳陷:位于F5和F6之间,从结构上看类似于地堑结构。上部2km范围内视电阻率很低,只有10Ω·m,而下部直到20km也只有200Ω·m。
图6-8明显反映出在F3与F6之间有一个小隆起(即F4与F5之间位置),可称龙中隆起把北安坳陷带分为两部分。前者可称北安坳陷带,后者是讷谟尔断陷,后者即F5与F6之间形成一个向北倾斜的断陷带,这里称为讷谟尔断陷带。讷谟尔断陷带从结构上看类似于地堑结构。如果把前者F3与F4之间称为北安坳陷,那么后两者即龙中隆起与讷谟尔断陷可单独分为两个小构造单位。
沾河隆起:位于龙镇南F6与F7之间。除9点号下面有一点低阻外(视电阻率约20~30Ω·m),其余地区均为中阻,平均达上千欧姆米。沾河隆起可细分为南北两部分。这两部分视电阻率分布形态和数值均有差别,南部中阻范围及量级均小于北部。
以上分区,即赵光镇坳陷、北安北隆起、北安坳陷、龙中隆起、讷谟尔断陷以及沾河隆起均属松辽盆地内部次一级构造分区。
小兴安岭南部边界断陷:又称龙镇断阶。位于龙镇北,两条F7断裂之间。表现中低阻地堑构造,视电阻率为300~500Ω·m,中低阻延深达10km。整体有向南倾斜趋势。再下部已进入小兴安岭隆起带。
小兴安岭隆起带:位于F7与F11之间。由F8、F9两断裂把该隆起带分为南、北、中三部分。南部(F7~F8之间)除上部11点号下面出现小范围、深度只有400m的中阻(200~300Ω·m)外,其余均为高阻区,最大可达上万欧姆米,且出露地表。中部(F8与F9之间)视电阻率明显为两层,上层深度7km,视电阻率约200~500Ω·m;下层深度可达20km以上,视电阻率在2000~5000Ω·m。北部(F9与F11之间)为三层,上层较浅,只有1km深,但视电阻率只有几十欧姆米;中层从1~5km,视电阻率为2000~5000Ω·m;第三层从5~19km深,视电阻率为7000~10000Ω·m。
孙吴盆地:F11以北地区,明显分为两层。上层延深8km,视电阻率约300~1000Ω·m;下层8~14km,视电阻率为1000~2000Ω·m。
在小兴安岭隆起带与孙吴盆地接壤之处,有一特别现象,即它们不是以平面接触,而是穿插式接触。15点号之下,至少出现了4层,从上至下为低-中-低-中的视电阻率。
以小兴安岭南界断裂为界,南、北部的构造特点存在较大差异。北部以断块为特征,南部以坳陷为特征。