发布网友 发布时间:2022-04-20 03:52
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热心网友 时间:2022-03-30 22:04
MOS管的原理:
它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
作用:
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
简介:
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
结构特点:
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
n沟道mos管
p沟道mos管
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
热心网友 时间:2022-03-30 23:22
工作原理:
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图:
作用:
由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管,而内存插槽则共用了一组MOS管,MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
定义:
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
热心网友 时间:2022-03-31 00:57
MOS是场效应管,全称是MOSFET 金属氧化物场效应晶体管,属于电压控制电流器件,双载流子器件,特点是输入阻抗超级高,一般的是1TΩ左右,如果要和别的管子比嘛,在完全导通的时候相比和BJT双结型晶体管比的话,工作的时候没有像双结型晶体管一样完全打开有1.1~0.7V的压差,场管打开完全导通,电阻是毫欧姆级别,截止和放大的话我觉得差不多,在频率高和低应用各有各的特点这个就不好说。但是现在在大功率大电流高电压的情况下MOS管有很大的优势,两者和混合的情况嘛,在大功率高电压的叫做绝缘栅型晶体管IGBT,集合两种各有各的优点的管子。MOS管具体什么特性还是烦请您看百度百科词条,解释的非常清楚。热心网友 时间:2022-03-31 02:48
是场效应管,属压控原件。用于电子电路的输入电路,提高输入阴抗,减小误差。追问阴抗是什么意思
热心网友 时间:2022-03-31 04:56
买本模拟电子技术 自己看吧 !这么说 也是白说 虽然不复杂 但是 只靠 打字 是讲不清楚的! 同意的就 顶下! 哈哈 !!!