数字集成电路分析与设计的图书目录

发布网友 发布时间：2022-04-20 02:35

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热心网友 时间：2023-07-07 14:55

第1章 深亚微米数字集成电路设计
1.1 绪论
1.2 集成电路产业的简要历史
1.3 数字逻辑六设计的回顾
1.1.1 基本的逻辑函数
1.1.2 逻辑电路的实现
1.1.3 噪声容限的定义
1.1.4 瞬态特性的定义
1.1.5 功耗估算
1.4 数字集成电路设计
1.4.1 MOS晶体管的结构和工作原理
1.4.2 CMOS与NMOS
1.4.3 深亚微米互连
1.5 数字电路的计算机辅助设计
1.5.1 电路模拟和分析
*1.6 面临的挑战
1.7 小结
1.8 参考文献
1.9 习题
第2章 MOS晶体管
2.1 绪论
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
2.2 MOS晶体管的结构和原理
2.3 MOS晶体管的阈值电压
2.4 一次电流-电压特性
2.5 速度饱和公式的来源
2.5.1 高电场的影响
2.5.2 速度饱和器件的电流公式
*2.6 α功率定律模型
2.7 亚阈值传导
2.8 MOS晶体管的电容
2.8.1 薄氧化物电容
2.8.2 pn结电容
2.8.2 覆盖电容
2.9 小结
2.10 参考文献
2.11 习题
第3章 制造、版图和模拟
3.1 绪论
3.2 IC制造工艺
3.2.1 IC制造工艺概述
3.2.2 IC光刻工艺
3.2.3 晶体管的制造
3.2.4 制造连线
3.2.5 连线电容和电阻
3.3 版图基础
3.4 电路模拟中MOS晶体管的模型构造
3.4.1 SPICE中的MOS模型
3.4.2 MOS晶体管的具体说明
3.5 SPICE MOS LEVEL 1 器件模型
3.5.1 MOS LEVEL 1 参数的提取
*3.6 BSM3模型
3.6.1 BSIM3中的加载过程
3.6.2 短沟道阈值电压
3.6.3 迁移率模型
3.6.4 线性区和饱和区
3.6.5 亚阈值电流
3.6.6 电容模型
3.6.7 源/漏电阻
*3.7 MOS晶体管中的附加效应
3.7.1 产品中的参数变化
3.7.2 温度效应
3.7.3 电源变化
3.7.4 电压极限
3.7.5 CMOS闩锁
*3.8 绝缘体上的硅工艺
*3.9 SPICE模型小结
3.10 参考文献
3.11 习题
第4章 MOS反相器电路
4.1 绪论
4.2 电压传输特性
4.3 噪声容限的定义
……
第5章 静态MOS门电路
第6章 高速CMOS逻辑设计
第7章 传输门和动态逻辑设计
第8章 半导体存储器的设计
导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。
第9章 存储器设计中的其他课题
第10章 连线设计
第11章 电源网格和时钟设计
附录A SPICE的简要介绍
附录B 双极型晶体管和电路