MOSFET测试EAS的问题
发布网友
发布时间：2022-04-20 00:25
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热心网友
时间：2023-08-25 07:12
这项测试应该和产品的Vds，Id，Rated Vds，还有energy等有关，具体不是很清楚。: c! B% p$ U/ b- z$ Q
8 c& o! H. W, x5 ~/ @0 y9 ]- B. C( i
这和avalanche测试基本差不多的，需要外加电感来储能，然后再释放能量，看器件的承受能力如何+ X% G, m; L0 O) P5 r3 w
% v6 g8 \9 f) _& _
我个人认为，出了和专业的designer交流外，似乎只有亲手上去测试，取样保留数据，开始limit可以放的比较宽，然后再慢慢的缩小limit。! v- i1 t! z1 @* p8 X( l7 v
& i0 F [% A; i3 N& I8 O如果要是量产的话，可以取所有数据最大值的平均值的80%3 a! {, n* `1 g
4 v5 w; [) D! {% r6 E$ k
仅供参考。。。
热心网友
时间：2023-08-25 07:12
EAS是单脉冲雪崩能量。
MOSFET非常重要的一个参数，功率MOSFET基本上要求全部测试。
JUNO测试机可以通过加功能扩展板来实现筛选的时候的EAS测试。
热心网友
时间：2023-08-25 07:13
这项测试应该和产品的Vds，Id，Rated Vds，还有energy等有关，具体不是很清楚。: c! B% p$ U/ b- z$ Q
8 c& o! H. W, x5 ~/ @0 y9 ]- B. C( i
这和avalanche测试基本差不多的，需要外加电感来储能，然后再释放能量，看器件的承受能力如何+ X% G, m; L0 O) P5 r3 w
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